Биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером

Для изготовления транзисторов применяют те же полупроводниковые материалы, что и для диодов. В биполярных транзисторах с помощью трехслойной полупроводниковой структуры из полупроводников различной электропроводности создаются два p—n-перехода с чередующими типами электропроводности p—n—p или n—p—n. Биполярные транзисторы конструктивно могут быть беcкорпусными рис.

3.2.3. Схема с общим эмиттером

Три вывода биполярного транзистора называются база , коллектор и эмиттер. В зависимости от общего вывода можно получить три схемы подключения биполярного транзистора: Рассмотрим работу транзистора в схеме с общей базой, рис.

Схема работы биполярного транзистора. Эмиттер инжектирует поставляет в базу основные носители, в нашем примере для полупроводниковых приборов n-типа ими будут электроны. Резистор Rэ ограничивает ток открытого p—n-перехода.

Базу выполняют с большим удельным сопротивлением малой концентрацией примеси , поэтому концентрация дырок в базе низкая. Следовательно, немногие попавшие в базу электроны рекомбинируют с ее дырками, образуя базовый ток Iб. Одновременно в коллекторном p—n-переходе со стороны E2 действует много большее поле, чем в эмиттерном переходе, которое увлекает электроны в коллектор. Поэтому подавляющее большинство электронов достигают коллектора.

Эмиттерный и коллекторный токи связаны коэффициентом передачи тока эмиттера. Следовательно, схема биполярного транзистора с общей базой обладает низким коэффициентом передачи тока. Из-за этого ее применяют редко, в основном в высокочастотных устройствах, где по усилению напряжения она предпочтительнее других. Основной схемой включения биполярного транзистора является схема с общим эмиттером, рис. Включение биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером. Найдем отношение тока коллектора к току базы: Это отношение называют коэффициентом передачи тока базы.

Если в цепь базы включить источник сигнала, то такой же сигнал, но усиленный по току в b раз, будет протекать в цепи коллектора, образуя на резисторе Rк напряжение много большее, чем напряжение источника сигнала. Для оценки работы биполярного транзистора в широком диапазоне импульсных и постоянных токов, мощностей и напряжений, а также для расчета цепи смещения, стабилизации режима используются семейства входных и выходных вольтамперных характеристик ВАХ.

Входные ВАХ транзистора аналогичны ВАХ диода в прямом включении. Семейство выходных ВАХ устанавливает зависимость тока коллектора от напряжения на нем при определенном токе базы или эмиттера в зависимости от схемы с общим эмиттером или общей базой , рис. Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора: Кроме электрического перехода n—p, в быстродействующих цепях широко используется переход на основе контакта металл—полупроводник — барьер Шоттки Schottky. В таких переходах не затрачивается время на накопление и рассасывание зарядов в базе, и быстродействие транзистора зависит только от скорости перезарядки барьерной емкости.

Для оценки максимально допустимых режимов работы транзисторов используют основные параметры: Копирование материалов разрешено только с указанием активной ссылки на первоисточник! Основы электротехники , Основы электроники Биполярные транзисторы. Схема работы биполярного транзистора Эмиттер инжектирует поставляет в базу основные носители, в нашем примере для полупроводниковых приборов n-типа ими будут электроны. Биполярные транзисторы Параметры биполярных транзисторов Для оценки максимально допустимых режимов работы транзисторов используют основные параметры:

Карта сайта

35 36 37 38 39 40 41 42 43